Технология производства силовых транзисторов General Electric на карбиде кремния едва не утекла в Китай

27.02.2021, 13:26 tehnowar.ru

Защита интеллектуальной собственности в Китае — это больное место иностранных компаний. Власти обещают ужесточить наказания за кражу технологий, но до конца это явление искоренить невозможно. Впрочем, рано или поздно правосудие настигает виновных. Так и произошло с бизнесменом из Гонконга Винсманом Нга, который подговорил инженера компании General Electric украсть технологию производства силовых транзисторов. Но заработать на этом не вышло. Источник изображения: AFP Сообщается, что злоумышленники собирались зарегистрировать на материковой части Китая компанию по производству силовых транзисторов MOSFET на основе карбида кремния. Подобные силовые полупроводники становятся востребованными в с